Samsung presenta sus nuevas DRAM DDR4 de 8 Gb de 10 nm

DRAM Samsung 10 nmSamsung Electronics, el lider mundial en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado hoy que ha comenzado la producción masiva de las primeras memorias DRAM DDR4 de 8 Gb de 10 nanometros.

Estas nuevas memorias están pensadas para su uso en todo tipo de ordenadores, consiguiendo una rendimiento y una eficiencia energética excelentes en un tamaño realmente pequeño.

Gyoyoung Jin, presidente de “Memory Bussiness” en Samsung Electronics ha dicho lo siguiente: “Desarrollamos tecnologías innovadoras para el diseño y en los procesos de fabricación de los circuitos con el fin de conseguir grandes avances en la escalabilidad de las DRAM. Gracias a la mejora que supone esta DRAM de 2ª generación, podremos aumentar la producción de manera agresiva para así satisfacer la enorme demanda que existe actualmente y mejorar nuestra competitividad en el mercado.

La segunda generación de DRAM de 10 nm ofrece un 30% más de rendimiento de productividad sobre la primera generación. Además, los niveles de rendimiento y eficiencia energética han mejorado en un 10% y un 15% respectivamente. Estas memorias DDR4 son capaces de operar a 3600 Mbps por pin, mejorando los 3200 mbps de la anterior generación.

DRAM Samsung 10 nm

Gracias a estas mejoras, Samsung ha acelerado sus planes para introducir mucho más rápido esta generación de chips DRAM, para su uso en servidores de empresa, dispositivos móviles, supercomputadores, sistemas HPC y tarjetas gráficas.

La principal ventaja de todo esto es que se aumentará la producción rápidamente, lo que podría contribuir a una bajada en los precios de la memoria RAM ya que la demanda se vería por fin cubierta. Para los consumidores esto supondría un gran alivio para sus bolsillos ya que los precios de la RAM no han parado de subir hasta el punto de doblarse durante todo este año.

Redactor: Edgar de Paz

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